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SK하이닉스는 25일 뉴스룸을 통해 용인 반도체 클러스터 1기 팹이 전날 착공에 들어갔다고 밝혔다. 용인 반도체 클러스터는 총 415만㎡(약 126만평) 규모 부지에 SK하이닉스 팹 60만평, 소부장 업체 협력화단지 14만평, 인프라 부지 12만평으로 조성되는 반도체 산업단지다. 당초 다음달부터 1기 팹 착공에 나설 계획이었지만, 용인시가 지난 21일 건축을 허가하면서 착공 시점을 앞당겼다.
SK하이닉스는 2032년까지 용인 클러스터에 120조원을 투입, 총 4기의 팹을 순차적으로 조성할 예정이다. 첫 번째 팹은 오는 2027년 5월 준공이 목표다. SK하이닉스 측은 "용인캠퍼스는 HBM을 비롯한 차세대 D램 메모리 생산 거점으로서 급증하는 AI 메모리 반도체 수요를 적기에 대응해 회사의 중장기 성장 기반을 주도할 예정"이라고 설명했다.
SK하이닉스는 클러스터 내 50여개 반도체 소부장 업체와 국내 반도체 생태계 경쟁력을 제고하는 역할도 수행할 예정이다. 이를 위해 소부장 업체의 기술 개발과 실증, 평가를 지원하는 미니팹을 함께 구축한다. 미니팹은 300㎜ 웨이퍼 공정장비를 기반으로 실제 생산 현장과 유사한 환경을 소부장 업체에 제공한다.
앞서 SK하이닉스는 지난해 7월 이사회 결의를 통해 용인 반도체 클러스터 1기 팹과 업무시설 건설에 약 9조4000억원을 투자하기로 했다. 최태원 SK그룹 회장은 2023년 9월 용인 클러스터 현장을 방문해 "SK하이닉스 역사상 가장 계획적이고도 전략적으로 추진되는 프로젝트"라며 "지금까지 해오던 대로 하는 것 이상의 도전이 필요하다"고 강조했다. 또 "소부장 기업과 대학의 인재들이 마음껏 활용할 수 있는 인프라를 갖춰 그 안에서 자유로운 혁신이 일어날 수 있는 거점을 만들어야 한다"고 밝혔다.
한편 SK하이닉스는 최근 1기 팹 착공에 맞춰 시공(플랜트 건축·설비·전기·기계·배관), 사업관리, 안전관리 등 인프라 구축을 담당할 경력 사원 채용을 시작했다.
