SK하이닉스 “차세대 패키징 기술로 HBM 리더십 지킨다”

이규제 부사장 뉴스룸 인터뷰
어드밴스드 MR-MUF 고도화

이규제 SK하이닉스 PKG제품개발 담당 부사장이 MR-MUF 기술 로드맵을 설명하고 있다. /SK하이닉스

SK하이닉스가 HBM(고대역폭메모리) 고단 적층을 통해 차세대 패키징 기술 개발에서 앞서가겠다는 포부를 밝혔다.

이규제 SK하이닉스 PKG제품개발 담당 부사장은 5일 뉴스룸에 공개된 인터뷰에서 "HBM 시장을 선점할 수 있었던 가장 큰 원동력은 고객이 원하는 시기에 제품을 제공했기 때문"이라며 "어드밴스드 MR-MUF를 지속적으로 고도화하는 한편, 하이브리드 본딩 등 새로운 기술들을 확보해 나갈 계획"이라고 강조했다.

이 부사장은 SK하이닉스가 지난해 4세대 12단 HBM3와 5세대 HBM3E 개발에 연이어 성공하며 독보적인 HBM 1등 리더십을 지키는 데 기여한 1등 공신으로 패키지 기술인 '어드밴스드 MR-MUF'를 꼽았다.

이 기술은 반도체 칩을 쌓아 올린 뒤 칩과 칩 사이 회로를 보호하기 위해 공간 사이에 액체 형태의 보호재를 주입하고, 굳히는 것이다. SK하이닉스는 경쟁 업체의 칩을 하나씩 쌓을 때마다 필름형 소재를 깔아주는 방식(NCF) 대비 공정이 효율적이고, 열 방출에도 효과적이라는 설명이다.

이규제 SK하이닉스 PKG제품개발 담당 부사장. /SK하이닉스

SK하이닉스는 내년 하반기 양산 예정인 차세대 HBM인 'HBM4'도 회사가 강점을 가진 어드밴스드 MR-MUF와 차세대 '하이브리드 본딩' 방식을 모두 검토 중이다. HBM4는 12단과 16단으로 적층 수가 기존 8단과 12단보다 높아져 고단 적층의 문제가 한층 더 심화한다.

이 부사장은 "얼마 전 MR-MUF가 고단 적층은 구현하기 어렵다는 소문이 업계에 돌았던 적이 있지만, 우리는 MR-MUF가 고단 적층에도 최적의 기술이라는 사실을 고객과 소통하는 데 힘을 쏟았다"고 반박했다.

이어 "지속적으로 늘어나는 커스텀 제품 요구에 적기 대응하기 위해 다양한 차세대 패키징 기술을 개발하는 것도 중요하다"고 덧붙였다.

그 중에서도 가장 기대를 모으는 하이브리드 본딩은 칩을 적층할 때 칩과 칩 사이에 범프(반도체 칩과 기판을 연결하는 구 형태의 돌기)를 형성하지 않고 직접 접합시키는 기술이다. 국제 표준 규격에 따라 제품 두께는 유지하면서도 성능과 용량을 높이기 위한 칩 고단 적층의 방편으로 주목된다.

이 부사장은 고객과의 긴밀한 소통과 협업이야말로 SK하이닉스의 저력이자 앞으로도 계속 강화해야 할 경쟁력이라고 강조했다.

그는 "패키징 개발 조직에서도 고객과 이해관계자의 니즈를 빠르게 파악해 제품 특성에 반영하고 있다"며 "이러한 노력에 회사 고유의 협업 문화를 더한다면, 어떤 상황에서도 강력한 힘을 발휘할 수 있을 것"이라고 말했다.