삼성전자, 세계 최초 30나노급 D램 개발

삼성전자가 세계 최초로 30나노급 공정을 적용한 D램 개발에 성공하고 타 업체와의 격차를 다시 벌려나간다.

삼성전자는 1일 30나노급 공정을 적용한 2Gb(기가비트) DDR3 D램을 지난달 개발해냈으며 하반기부터 양산에 들어갈 계획이라고 밝혔다.

반도체 소자에 들어가는 회로의 선폭이 30nm(나노미터)급인 이 제품은 기존 40나노급 D램보다 생산성을 60% 가량 올릴 수 있고 50∼60나노급 D램에 비해서는 두 배 이상의 원가 경쟁력을 갖고 있다.

또 30나노급 D램은 50나노급 D램에 비해 소비전력을 약 30% 가량 줄일 수 있으며 40나노급 D램에 비해서는 15% 이상 소비전력이 적다.

예를 들어, 노트북에 30나노급 4GB(기가바이트) D램 모듈을 사용하면 시간당 전력 소비량은 약 3W(와트) 정도로 가정용 형광등 1개의 약 10%에 불과한데, 이는 노트북 전체 소비전력의 3% 수준에 해당한다.

개발 기간 측면에서도 이번에 개발된 30나노급 DDR3 D램은 지난해 1월 40나노급 D램을 개발한 지 1년만에 개발된 것이다.

이 회사가 50나노급 공정 개발 뒤 40나노급 공정을 개발하기까지 2년4개월이 걸렸던 것에 비하면 시간이 대폭 단축된 것이다.

삼성전자 측은 "그간 D램의 셀 구조상 현재의 생산 공정에서는 40나노급 D램이 한계로 여겨져 왔으나 40나노급 D램 개발 1년 만에 한계를 극복해냈다"고 설명했다.

삼성전자는 서버 솔루션으로 동작전압 1.35V에서 동작 속도가 1.6Gbps (Giga-bit Per Second; 초당 1.6기가비트)인 제품을 제공하고, PC 솔루션으로는 업계 최초로 1.866Gbps까지 공급할 예정이다.

반도체사업부 메모리담당 조수인 사장은 "30나노급 2Gb DDR3 제품을 성공적으로 개발함으로써 제조 경쟁력의 격차를 1년 이상 벌려놓았다"며 "이를 발판으로 시장 점유율을 지속적으로 확대해나갈 것"이라고 밝혔다.